カテゴリ： IMARC, IT/電子, 世界

世界の磁気抵抗RAM（MRAM）市場予測（2024年-2032年）：種類別（トグルMRAM、スピントランスファートルクMRAM（STT-MRAM））、提供別（スタンドアロン、組み込み）、用途別（民生用電子機器、ロボット、企業向けストレージ、自動車、航空宇宙・防衛、その他）、地域別

■ 英語タイトル：Magneto Resistive RAM (MRAM) Market Report by Type (Toggle MRAM, Spin-Transfer Torque MRAM (STT-MRAM)), Offering (Stand-alone, Embedded), Application (Consumer Electronics, Robotics, Enterprise Storage, Automotive, Aerospace and Defense, and Others), and Region 2024-2032

調査会社IMARC社が発行したリサーチレポート（データ管理コード：IMARC24MY280）■ 発行会社/調査会社：IMARC
■ 商品コード：IMARC24MY280
■ 発行日：2024年4月
■ 調査対象地域：グローバル
■ 産業分野：電子＆半導体
■ ページ数：136
■ レポート言語：英語
■ レポート形式：PDF
■ 納品方式：Eメール
■ 販売価格オプション（消費税別）
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*** レポート概要（サマリー）***

磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場規模は、2023年に6億1720万米ドルに達しました。今後、IMARC Groupは、2024年から2032年の間に37.1%の成長率（CAGR）を示し、2032年までに市場は110億7,630万米ドルに達すると予測しています。
磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）または磁気RAMは、情報を格納するために電荷を使用する不揮発性メモリです。スピントランスファートルクMRAMとトグルMRAMは、一般的に利用可能な種類の一部です。これらは、誘電体層または絶縁層を介して分離された2つの磁性層から成る磁気トンネル接合（MTJ）を利用します。高密度RAMであり、キャパシタとトランジスタを含みます。従来から使用されているダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（DRAM）と比較して、MRAMは電源なしでメモリに保存された情報を保持でき、コスト効率が高く、大きなエネルギーを消費するパルスを必要としません。その結果、ロボット工学、自動車、家電製品、企業向けストレージ・システムなどに広く使用されています。

磁気抵抗RAM（MRAM）の市場動向：
民生用電子機器業界の著しい成長は、市場の見通しを明るくする重要な要因の1つです。MRAMは、ワークステーション、スマートウェアラブル、スマートフォン、デジタルカメラなど、さまざまな電子機器に広く使用されています。さらに、高温データストレージに対する航空宇宙および防衛産業での製品需要の増加が、市場の成長を後押ししています。さらに、耐放射線マイクロチップ用の低消費電力MRAMの開発など、さまざまな製品革新が市場成長を後押ししています。これらの製品は電力効率に優れ、放射線に強く、温度変動下でも動作可能です。これに伴い、モノのインターネット（IoT）対応デバイスの需要の増加、高度なセンサーやスマートロボットの普及が、市場成長にプラスの影響を与えています。その他、小型化およびカスタマイズされた集積回路（IC）における製品利用の増加や、医療上の様々な障害の非侵襲的診断検査のためのMRAM内蔵医療センサーの広範な採用などが、市場の成長を促進すると予測されています。

主な市場セグメンテーション
IMARC Groupは、世界の磁気抵抗RAM（MRAM）市場レポートの各サブセグメントにおける主要動向の分析と、2024年から2032年までの世界、地域、国レベルでの予測を提供しています。当レポートでは、市場をタイプ、提供、用途に基づいて分類しています。

タイプ別内訳

トグルMRAM
スピントランスファートルクMRAM（STT-MRAM）

製品別内訳

スタンドアロン
組み込み型

アプリケーション別構成比

コンシューマー・エレクトロニクス
ロボット
エンタープライズ・ストレージ
自動車
航空宇宙・防衛
その他

地域別内訳

北米
米国
カナダ
アジア太平洋
中国
日本
インド
韓国
オーストラリア
インドネシア
その他
ヨーロッパ
ドイツ
フランス
イギリス
イタリア
スペイン
ロシア
その他
ラテンアメリカ
ブラジル
メキシコ
その他
中東・アフリカ

競争状況：
業界の競争環境についても、Avalanche Technology Inc.、Crocus Nano Electronics LLC、Everspin Technologies Inc.、Honeywell International Inc.、Infineon Technologies AG、Intel Corporation、NVE Corporation、Qualcomm Incorporated、Samsung Electronics Co. Ltd.、Spin Memory Inc.、Toshiba Corporation、Tower Semiconductor Ltd.。

本レポートで扱う主な質問

1. 2023年の磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場規模は？
2. 2024年～2032年の磁気抵抗RAM（MRAM）世界市場の予想成長率は？
3. 磁気抵抗RAM (MRAM)の世界市場を牽引する主な要因は？
4. COVID-19が磁気抵抗RAM (MRAM)の世界市場に与えた影響は？
5. 磁気抵抗RAM(MRAM)の世界市場のタイプ別内訳は？
6. 磁気抵抗膜式RAM(MRAM)の世界市場における製品別内訳は?
7. 磁気抵抗RAM(MRAM)の世界市場の用途別内訳は？
8. 磁気抵抗RAM (MRAM)の世界市場における主要地域は?
9. 磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場における主要プレーヤー/企業は？

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*** レポート目次（コンテンツ）***

1 序文
2 調査範囲と方法論
2.1 調査の目的
2.2 ステークホルダー
2.3 データソース
2.3.1 一次情報源
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推定
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法
3 エグゼクティブ・サマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主要産業動向
5 磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場
5.1 市場概要
5.2 市場パフォーマンス
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 タイプ別市場
6.1 トグルMRAM
6.1.1 市場動向
6.1.2 市場予測
6.2 スピントランスファートルクMRAM（STT-MRAM）
6.2.1 市場動向
6.2.2 市場予測
7 オファリング別市場内訳
7.1 スタンドアロン
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 組み込み型
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
8 アプリケーション別市場
8.1 コンシューマー・エレクトロニクス
8.1.1 市場動向
8.1.2 市場予測
8.2 ロボット
8.2.1 市場動向
8.2.2 市場予測
8.3 企業向けストレージ
8.3.1 市場動向
8.3.2 市場予測
8.4 自動車
8.4.1 市場動向
8.4.2 市場予測
8.5 航空宇宙・防衛
8.5.1 市場動向
8.5.2 市場予測
8.6 その他
8.6.1 市場動向
8.6.2 市場予測
9 地域別市場内訳
9.1 北米
9.1.1 米国
9.1.1.1 市場動向
9.1.1.2 市場予測
9.1.2 カナダ
9.1.2.1 市場動向
9.1.2.2 市場予測
9.2 アジア太平洋
9.2.1 中国
9.2.1.1 市場動向
9.2.1.2 市場予測
9.2.2 日本
9.2.2.1 市場動向
9.2.2.2 市場予測
9.2.3 インド
9.2.3.1 市場動向
9.2.3.2 市場予測
9.2.4 韓国
9.2.4.1 市場動向
9.2.4.2 市場予測
9.2.5 オーストラリア
9.2.5.1 市場動向
9.2.5.2 市場予測
9.2.6 インドネシア
9.2.6.1 市場動向
9.2.6.2 市場予測
9.2.7 その他
9.2.7.1 市場動向
9.2.7.2 市場予測
9.3 欧州
9.3.1 ドイツ
9.3.1.1 市場動向
9.3.1.2 市場予測
9.3.2 フランス
9.3.2.1 市場動向
9.3.2.2 市場予測
9.3.3 イギリス
9.3.3.1 市場動向
9.3.3.2 市場予測
9.3.4 イタリア
9.3.4.1 市場動向
9.3.4.2 市場予測
9.3.5 スペイン
9.3.5.1 市場動向
9.3.5.2 市場予測
9.3.6 ロシア
9.3.6.1 市場動向
9.3.6.2 市場予測
9.3.7 その他
9.3.7.1 市場動向
9.3.7.2 市場予測
9.4 中南米
9.4.1 ブラジル
9.4.1.1 市場動向
9.4.1.2 市場予測
9.4.2 メキシコ
9.4.2.1 市場動向
9.4.2.2 市場予測
9.4.3 その他
9.4.3.1 市場動向
9.4.3.2 市場予測
9.5 中東・アフリカ
9.5.1 市場動向
9.5.2 国別市場内訳
9.5.3 市場予測
10 SWOT分析
10.1 概要
10.2 長所
10.3 弱点
10.4 機会
10.5 脅威
11 バリューチェーン分析
12 ポーターズファイブフォース分析
12.1 概要
12.2 買い手の交渉力
12.3 供給者の交渉力
12.4 競争の程度
12.5 新規参入の脅威
12.6 代替品の脅威
13 価格分析
14 競争環境
14.1 市場構造
14.2 主要プレーヤー
14.3 主要プレーヤーのプロフィール
14.3.1 アバランチ・テクノロジー社
14.3.1.1 会社概要
14.3.1.2 製品ポートフォリオ
14.3.2 クロッカス・ナノ・エレクトロニクス LLC
14.3.2.1 会社概要
14.3.2.2 製品ポートフォリオ
14.3.3 Everspin Technologies Inc.
14.3.3.1 会社概要
14.3.3.2 製品ポートフォリオ
14.3.3.3 財務
14.3.4 ハネウェル・インターナショナル・インク
14.3.4.1 会社概要
14.3.4.2 製品ポートフォリオ
14.3.4.3 財務
14.3.4.4 SWOT分析
14.3.5 インフィニオン・テクノロジーズAG
14.3.5.1 会社概要
14.3.5.2 製品ポートフォリオ
14.3.5.3 財務
14.3.5.4 SWOT分析
14.3.6 インテル コーポレーション
14.3.6.1 会社概要
14.3.6.2 製品ポートフォリオ
14.3.6.3 財務
14.3.6.4 SWOT分析
14.3.7 NVE株式会社
14.3.7.1 会社概要
14.3.7.2 製品ポートフォリオ
14.3.7.3 財務
14.3.8 クアルコム・インコーポレイテッド
14.3.8.1 会社概要
14.3.8.2 製品ポートフォリオ
14.3.8.3 財務
14.3.8.4 SWOT分析
14.3.9 Samsung Electronics Co. Ltd.
14.3.9.1 会社概要
14.3.9.2 製品ポートフォリオ
14.3.9.3 財務
14.3.9.4 SWOT分析
14.3.10 スピンメモリー
14.3.10.1 会社概要
14.3.10.2 製品ポートフォリオ
14.3.11 株式会社東芝
14.3.11.1 会社概要
14.3.11.2 製品ポートフォリオ
14.3.11.3 財務
14.3.11.4 SWOT分析
14.3.12 タワーセミコンダクター
14.3.12.1 会社概要
14.3.12.2 製品ポートフォリオ
14.3.12.3 財務



*** 磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場に関するよくある質問(FAQ) ***

・磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場規模は？
→IMARC社は2023年の磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場規模を6億1720万米ドルと推定しています。

・磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場予測は？
→IMARC社は2032年の磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場規模を110億7,630万米ドルと予測しています。

・磁気抵抗RAM（MRAM）市場の成長率は？
→IMARC社は磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場が2024年～2032年に年平均37.1%成長すると展望しています。

・世界の磁気抵抗RAM（MRAM）市場における主要プレイヤーは？
→「Avalanche Technology Inc.、Crocus Nano Electronics LLC、Everspin Technologies Inc.、Honeywell International Inc.、Infineon Technologies AG、Intel Corporation、NVE Corporation、Qualcomm Incorporated、Samsung Electronics Co. Ltd.、Spin Memory Inc.、Toshiba Corporation and Tower Semiconductor Ltd.など ...」を磁気抵抗RAM（MRAM）市場のグローバル主要プレイヤーとして判断しています。

※上記FAQの市場規模、市場予測、成長率、主要企業に関する情報は本レポートの概要を作成した時点での情報であり、最終レポートの情報と少し異なる場合があります。

*** 免責事項 ***
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※関連調査資料
  • 世界のウエハレベルパッケージング（WLP）市場予測（2024年-2032年）：パッケージング技術別（3D TSV WLP、2.5D TSV WLP、WLCSP、ナノWLP、その他）、最終用途別（航空宇宙・防衛、家電、IT・通信、医療、自動車、その他）、地域別
  • 世界のフィールドプログラマブルゲートアレイ（FPGA）市場予測（2024年-2032年）：アーキテクチャ別（SRAMベースFPGA、アンチヒューズベースFPGA、フラッシュベースFPGA）、構成別（ローレンジFPGA、ミッドレンジFPGA、ハイレンジFPGA）、最終用途別（IT・通信、家電、自動車、工業、軍事・航空宇宙、その他）、地域別
  • 世界のA/Dコンバータ市場予測（2024年-2032年）：製品種類別（パイプラインADC、積分型ADC、逐次近似ADC、ΔΣADC、その他）、分解能別（8ビット、10ビット、12ビット、14ビット、16ビット）、用途別（民生用電子機器、IT・通信、自動車、その他）、地域別
  • 世界のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（DRAM）市場予測（2024年-2032年）：種類別（同期DRAM、バースト拡張データ、出力拡張データ、出力非同期DRAM、高速ページモード）、テクノロジー別（DDR4、DDR3、DDR5/GDDR5、DDR2）、エンドユーザー別（IT・通信、防衛・航空宇宙、メディア・娯楽、医療・ヘルスケア、家電）、地域別
  • 世界の状況認識システム（SAS）市場予測（2024年-2032年）：コンポーネント別（ネットワークビデオレコーダー（NVR）、センサー、全地球測位システム（GPS）、ディスプレイ、その他）、種類別（コマンド＆コントロールシステム、火災・洪水警報システム、無線自動識別（RFID）、レーダーシステム、化学・生物・放射線・核（CBRN）システム、 ソナーシステム、物理セキュリティ情報管理（PSIM）/アクセス制御、その他）、プラットフォーム別（空、海、陸、宇宙）、産業別（軍事・防衛、医療、航空宇宙、海上セキュリティ、自動車、鉱業・石油・ガス、工業、サイバーセキュリティ、その他）、地域別
    • ※注目の調査資料
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    ※当市場調査資料(IMARC24MY280 )"世界の磁気抵抗RAM（MRAM）市場予測（2024年-2032年）：種類別（トグルMRAM、スピントランスファートルクMRAM（STT-MRAM））、提供別（スタンドアロン、組み込み）、用途別（民生用電子機器、ロボット、企業向けストレージ、自動車、航空宇宙・防衛、その他）、地域別" (英文：Magneto Resistive RAM (MRAM) Market Report by Type (Toggle MRAM, Spin-Transfer Torque MRAM (STT-MRAM)), Offering (Stand-alone, Embedded), Application (Consumer Electronics, Robotics, Enterprise Storage, Automotive, Aerospace and Defense, and Others), and Region 2024-2032)はIMARC社が調査・発行しており、H&Iグローバルリサーチが販売します。

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