1 Scope of the Report
1.1 Market Introduction
1.2 Years Considered
1.3 Research Objectives
1.4 Market Research Methodology
1.5 Research Process and Data Source
1.6 Economic Indicators
1.7 Currency Considered
1.8 Market Estimation Caveats
2 Executive Summary
2.1 World Market Overview
2.1.1 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Annual Sales 2018-2029
2.1.2 World Current & Future Analysis for Gate Driver ICs for GaN HEMTs by Geographic Region, 2018, 2022 & 2029
2.1.3 World Current & Future Analysis for Gate Driver ICs for GaN HEMTs by Country/Region, 2018, 2022 & 2029
2.2 Gate Driver ICs for GaN HEMTs Segment by Type
2.2.1 Gate Driver ICs for GaN SG HEMTs
2.2.2 Gate Driver ICs for GaN GIT HEMTs
2.3 Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales by Type
2.3.1 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales Market Share by Type (2018-2023)
2.3.2 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Revenue and Market Share by Type (2018-2023)
2.3.3 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sale Price by Type (2018-2023)
2.4 Gate Driver ICs for GaN HEMTs Segment by Application
2.4.1 Industrial
2.4.2 Telecom
2.4.3 Data Center
2.4.4 Others
2.5 Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales by Application
2.5.1 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sale Market Share by Application (2018-2023)
2.5.2 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Revenue and Market Share by Application (2018-2023)
2.5.3 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sale Price by Application (2018-2023)
3 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs by Company
3.1 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Breakdown Data by Company
3.1.1 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Annual Sales by Company (2018-2023)
3.1.2 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales Market Share by Company (2018-2023)
3.2 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Annual Revenue by Company (2018-2023)
3.2.1 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Revenue by Company (2018-2023)
3.2.2 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Revenue Market Share by Company (2018-2023)
3.3 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sale Price by Company
3.4 Key Manufacturers Gate Driver ICs for GaN HEMTs Producing Area Distribution, Sales Area, Product Type
3.4.1 Key Manufacturers Gate Driver ICs for GaN HEMTs Product Location Distribution
3.4.2 Players Gate Driver ICs for GaN HEMTs Products Offered
3.5 Market Concentration Rate Analysis
3.5.1 Competition Landscape Analysis
3.5.2 Concentration Ratio (CR3, CR5 and CR10) & (2018-2023)
3.6 New Products and Potential Entrants
3.7 Mergers & Acquisitions, Expansion
4 World Historic Review for Gate Driver ICs for GaN HEMTs by Geographic Region
4.1 World Historic Gate Driver ICs for GaN HEMTs Market Size by Geographic Region (2018-2023)
4.1.1 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Annual Sales by Geographic Region (2018-2023)
4.1.2 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Annual Revenue by Geographic Region (2018-2023)
4.2 World Historic Gate Driver ICs for GaN HEMTs Market Size by Country/Region (2018-2023)
4.2.1 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Annual Sales by Country/Region (2018-2023)
4.2.2 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Annual Revenue by Country/Region (2018-2023)
4.3 Americas Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales Growth
4.4 APAC Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales Growth
4.5 Europe Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales Growth
4.6 Middle East & Africa Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales Growth
5 Americas
5.1 Americas Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales by Country
5.1.1 Americas Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales by Country (2018-2023)
5.1.2 Americas Gate Driver ICs for GaN HEMTs Revenue by Country (2018-2023)
5.2 Americas Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales by Type
5.3 Americas Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales by Application
5.4 United States
5.5 Canada
5.6 Mexico
5.7 Brazil
6 APAC
6.1 APAC Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales by Region
6.1.1 APAC Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales by Region (2018-2023)
6.1.2 APAC Gate Driver ICs for GaN HEMTs Revenue by Region (2018-2023)
6.2 APAC Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales by Type
6.3 APAC Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales by Application
6.4 China
6.5 Japan
6.6 South Korea
6.7 Southeast Asia
6.8 India
6.9 Australia
6.10 China Taiwan
7 Europe
7.1 Europe Gate Driver ICs for GaN HEMTs by Country
7.1.1 Europe Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales by Country (2018-2023)
7.1.2 Europe Gate Driver ICs for GaN HEMTs Revenue by Country (2018-2023)
7.2 Europe Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales by Type
7.3 Europe Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales by Application
7.4 Germany
7.5 France
7.6 UK
7.7 Italy
7.8 Russia
8 Middle East & Africa
8.1 Middle East & Africa Gate Driver ICs for GaN HEMTs by Country
8.1.1 Middle East & Africa Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales by Country (2018-2023)
8.1.2 Middle East & Africa Gate Driver ICs for GaN HEMTs Revenue by Country (2018-2023)
8.2 Middle East & Africa Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales by Type
8.3 Middle East & Africa Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales by Application
8.4 Egypt
8.5 South Africa
8.6 Israel
8.7 Turkey
8.8 GCC Countries
9 Market Drivers, Challenges and Trends
9.1 Market Drivers & Growth Opportunities
9.2 Market Challenges & Risks
9.3 Industry Trends
10 Manufacturing Cost Structure Analysis
10.1 Raw Material and Suppliers
10.2 Manufacturing Cost Structure Analysis of Gate Driver ICs for GaN HEMTs
10.3 Manufacturing Process Analysis of Gate Driver ICs for GaN HEMTs
10.4 Industry Chain Structure of Gate Driver ICs for GaN HEMTs
11 Marketing, Distributors and Customer
11.1 Sales Channel
11.1.1 Direct Channels
11.1.2 Indirect Channels
11.2 Gate Driver ICs for GaN HEMTs Distributors
11.3 Gate Driver ICs for GaN HEMTs Customer
12 World Forecast Review for Gate Driver ICs for GaN HEMTs by Geographic Region
12.1 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Market Size Forecast by Region
12.1.1 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Forecast by Region (2024-2029)
12.1.2 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Annual Revenue Forecast by Region (2024-2029)
12.2 Americas Forecast by Country
12.3 APAC Forecast by Region
12.4 Europe Forecast by Country
12.5 Middle East & Africa Forecast by Country
12.6 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Forecast by Type
12.7 Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Forecast by Application
13 Key Players Analysis
13.1 Infineon Technologies AG
13.1.1 Infineon Technologies AG Company Information
13.1.2 Infineon Technologies AG Gate Driver ICs for GaN HEMTs Product Portfolios and Specifications
13.1.3 Infineon Technologies AG Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2018-2023)
13.1.4 Infineon Technologies AG Main Business Overview
13.1.5 Infineon Technologies AG Latest Developments
13.2 Texas Instruments
13.2.1 Texas Instruments Company Information
13.2.2 Texas Instruments Gate Driver ICs for GaN HEMTs Product Portfolios and Specifications
13.2.3 Texas Instruments Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2018-2023)
13.2.4 Texas Instruments Main Business Overview
13.2.5 Texas Instruments Latest Developments
13.3 STMicroelectronics
13.3.1 STMicroelectronics Company Information
13.3.2 STMicroelectronics Gate Driver ICs for GaN HEMTs Product Portfolios and Specifications
13.3.3 STMicroelectronics Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2018-2023)
13.3.4 STMicroelectronics Main Business Overview
13.3.5 STMicroelectronics Latest Developments
13.4 Texas Instruments
13.4.1 Texas Instruments Company Information
13.4.2 Texas Instruments Gate Driver ICs for GaN HEMTs Product Portfolios and Specifications
13.4.3 Texas Instruments Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2018-2023)
13.4.4 Texas Instruments Main Business Overview
13.4.5 Texas Instruments Latest Developments
13.5 uPI Semiconductor
13.5.1 uPI Semiconductor Company Information
13.5.2 uPI Semiconductor Gate Driver ICs for GaN HEMTs Product Portfolios and Specifications
13.5.3 uPI Semiconductor Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2018-2023)
13.5.4 uPI Semiconductor Main Business Overview
13.5.5 uPI Semiconductor Latest Developments
13.6 On Semi
13.6.1 On Semi Company Information
13.6.2 On Semi Gate Driver ICs for GaN HEMTs Product Portfolios and Specifications
13.6.3 On Semi Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2018-2023)
13.6.4 On Semi Main Business Overview
13.6.5 On Semi Latest Developments
13.7 Monolithic Power Systems (MPS)
13.7.1 Monolithic Power Systems (MPS) Company Information
13.7.2 Monolithic Power Systems (MPS) Gate Driver ICs for GaN HEMTs Product Portfolios and Specifications
13.7.3 Monolithic Power Systems (MPS) Gate Driver ICs for GaN HEMTs Sales, Revenue, Price and Gross Margin (2018-2023)
13.7.4 Monolithic Power Systems (MPS) Main Business Overview
13.7.5 Monolithic Power Systems (MPS) Latest Developments
14 Research Findings and Conclusion
※参考情報 GaN HEMT用ゲートドライバICは、次世代の高効率電力変換において重要な役割を持つコンポーネントです。GaN(ガリウムナイトライド)HEMT(高電子移動度トランジスタ)は、従来のシリコンデバイスに比べて高い効率とスイッチング速度を提供するため、電力エレクトロニクス分野で注目されています。この技術の普及に伴い、GaN HEMTを駆動するための専用のゲートドライバICが必要とされています。 まず、GaN HEMT用ゲートドライバICの概念から説明します。ゲートドライバICは、トランジスタのゲートに必要な電圧と電流を供給する役割を持つ電子回路です。特にGaN HEMTは、非常に低いオン抵抗と高速なスイッチングを実現できるため、ゲートドライバの性能がシステム全体の効率に大きな影響を与えます。GaN HEMTは異常な速さでスイッチングが可能であるため、ドライバICはそれに適した動作特性を持つ必要があります。 次に、GaN HEMT用ゲートドライバICの特徴について述べます。まず、主要な特徴の一つとして「高いスイッチング周波数」があります。GaN HEMTは数MHzから十数MHzという高周波で動作することが可能です。そのため、ゲートドライバICは、高い周波数帯域を持ち、迅速にゲート信号を駆動する能力が求められます。これにより、スイッチングロスを低減し、全体の効率を向上させることができます。 もう一つの重要な特徴は「高い駆動電流」です。GaN HEMTは、迅速にゲートを充電・放電するために高いドライブ電流を必要とします。ゲートドライバICは、これに対応するために出力インピーダンスを低くし、大きな瞬時電流を供給できる設計が求められます。また、ノイズ対策や過渡応答にも優れている必要があります。 さらに、「過電圧防止機能」などの保護機能も重要です。GaN HEMTは、過電圧や過電流に非常に敏感なため、これらの異常状態からデバイスを保護するための回路設計が不可欠です。多くのゲートドライバICには、これらの保護機能がデフォルトで組み込まれており、安全性が高まります。 GaN HEMT用ゲートドライバICの種類についても触れましょう。一般的には、単一チャネルタイプとデュアルチャネルタイプに分類されます。単一チャネルタイプは、1つのGaN HEMTを駆動する設計で、簡単な回路構成に適しています。一方、デュアルチャネルタイプは、2つのGaN HEMTを同時に駆動できるため、より複雑な応用が可能です。この場合、対称なスイッチング動作やプッシュプル構成などが要件となることが多いです。 用途については、GaN HEMT用ゲートドライバICは、さまざまな分野で利用されています。具体的には、電源供給装置(PSU)、太陽光発電インバータ、電気自動車の充電インフラ、無線通信のパワーアンプなどに利用されます。これらのアプリケーションでは、エネルギー効率が特に重要であるため、GaN技術による高効率化が期待されています。 また、関連技術も多岐にわたります。例えば、GaN HEMTと一緒に使用されるデジタル信号処理技術(DSP)や、フィードバック制御系による温度補償などが挙げられます。また、システム全体でのEMI(電磁干渉)への対策技術も重要です。GaN HEMTは、高速スイッチングによってEMIが発生しやすいため、適切なフィルタリングやシールド技術が求められます。 さらに、最新の研究では、GaN HEMT用ゲートドライバICの統合化が進んでいます。たとえば、ドライバICに加えて、フィードバック回路やセンサーが1つのチップに統合されることで、システムの小型化と効率化が実現されつつあります。このような統合化は、特に新しい市場要求に対する迅速な応答を可能にします。 GaN HEMT用ゲートドライバICの開発には、さまざまな課題も存在します。例えば、高温環境下での動作安定性や、異常電圧時の耐性などが挙げられます。これらの課題に対応するためには、より高度な材料技術や回路設計が必要となります。 まとめると、GaN HEMT用ゲートドライバICは、現代の電力エレクトロニクスにおいて不可欠な部品です。その高いスイッチング性能や出力能力、保護機能などが、エネルギー効率を大きく向上させる要因となります。今後の技術進展とともに、さらなる高機能化、多機能化が進むことが期待されており、それによって新たな応用分野の開拓も進むでしょう。 |
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