無線周波数(RF)パワー半導体の世界予測(~2030):パワーアンプ、パッシブ、スイッチ、トランジスタ、ダイオード、デュプレクサ、その他

■ 英語タイトル:Radio Frequency (RF) Power Semiconductor Market Forecasts to 2030 – Global Analysis By Component (Power Amplifiers, Passives, Switches, Transistors, Diodes, Duplexers and Other Components), Material, Power Range, Application and By Geography

調査会社Stratistics MRC社が発行したリサーチレポート(データ管理コード:SMRC24NOV217)■ 発行会社/調査会社:Stratistics MRC
■ 商品コード:SMRC24NOV217
■ 発行日:2024年8月
■ 調査対象地域:グローバル
■ 産業分野:半導体
■ ページ数:200 Pages
■ レポート言語:英語
■ レポート形式:PDF
■ 納品方式:Eメール
■ 販売価格オプション(消費税別)
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*** レポート概要(サマリー)***

Stratistics MRCによると、無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場は2024年に195.7億ドルを占め、予測期間中の年平均成長率は10.5%で、2030年には302.1億ドルに達する見込みです。無線周波数(RF)パワー半導体デバイスは、高周波信号を効率的に増幅・伝送するために設計された特殊なコンポーネントです。これらの半導体は、通常、数百メガヘルツから数ギガヘルツの周波数でハイパワー動作するように最適化されています。RFパワー半導体は、損失や干渉を最小限に抑え、長距離にわたって信頼性の高い信号伝搬を保証するために必要な増幅および伝送機能を提供することで、現代の無線通信システムにおいて重要な役割を果たしています。
エリクソンによると、スマートフォンの推定契約数はアジア太平洋地域(中国とインドを除く)が最大で、2018年第1四半期には1億5,500万米ドルに上ります。この普及率により、RF機器メーカーは、スマートフォンやタブレットのOEMのニーズに対応できる高性能RFフィルターの開発を進めるでしょう。

市場ダイナミクス:

推進要因
ドライバー:無線通信需要の拡大
RFパワー半導体は、データ転送速度の高速化、ネットワークカバレッジの拡大、新しい通信規格のサポートに不可欠です。この需要は、窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)のような半導体技術の革新を促進し、効率と電力処理能力を向上させます。電気通信が進化し続ける中、RFパワー半導体は最新のワイヤレスネットワークの性能要求を満たす上で重要な役割を果たし、市場の成長を促進しています。

阻害要因
技術的課題と信頼性への懸念
RFパワー半導体の技術的課題には、熱管理、さまざまな条件下での効率維持、長期信頼性の確保などがあります。これらの要因は、新製品の開発コストの上昇と市場投入までの時間の長期化につながります。ストレスや経年劣化によるデバイスの故障などの信頼性の懸念は、顧客の信頼を損ない、保守コストを増加させます。その結果、これらの課題は潜在的な採用者を遠ざけ、RFパワー半導体技術の市場需要と技術革新を減速させる可能性があります。

機会:
再生可能エネルギーソリューションの採用を促進する政策の強化
太陽光や風力などの再生可能エネルギー源がインバータやグリッド統合に高度なRFパワー半導体を必要とするようになると、需要が急増します。これらの半導体は、再生可能エネルギーを効果的に利用するために不可欠な電力変換において、より高い効率と信頼性を実現します。規制による支援は、半導体技術の革新を促し、性能の向上とコストの低減を実現します。このように、再生可能エネルギーの採用を促進する政策は、この分野の需要と技術的進歩を触媒することにより、RFパワー半導体市場の成長を直接促進します。

脅威
初期投資と開発コストの高さ
RFパワー半導体では、複雑な製造プロセス、GaNやSiCのような特殊な材料、厳しい品質基準により、高い初期投資と開発コストが発生します。これらのコストは、新規参入企業や中小企業の市場参入を阻み、競争とイノベーションを制限します。その結果、価格は高止まりし、電気通信や自動車部門などの潜在的なユーザーが、従来の半導体ソリューションに比べて初期投資が法外であると感じる可能性があるため、広範な市場の需要を妨げています。

Covid-19の影響
Covid-19の大流行は、サプライチェーンを混乱させ、プロジェクトを遅延させ、電気通信や自動車などの業界全体の需要に影響を与えることで、無線周波数(RF)パワー半導体市場に大きな影響を与えました。当初の挫折にもかかわらず、遠隔通信技術へのシフトやヘルスケア機器におけるRFパワーコンポーネントの需要増加により、市場は回復力を示しました。回復への努力は、新たな規範への適応と様々な分野におけるデジタル変革の加速に集中しました。

予測期間中、ハイパワーセグメントが最大になる見込み
ハイパワーセグメントは有利な成長が見込まれます。高出力レンジの無線周波数パワー半導体デバイスは、通常1GHz以上の周波数で動作する電気通信やレーダーシステムにおいて重要なコンポーネントです。これらの半導体は、長距離の高周波信号の送受信に不可欠な効率的な電力増幅を可能にします。これらの半導体は、損失や発熱を最小限に抑えながら高い電力レベルを処理できるように設計されているため、信頼性が高く高性能なRF電力処理能力を必要とするアプリケーションに不可欠です。

予測期間中、民生用電子機器分野のCAGRが最も高くなる見込み
民生用電子機器分野は、予測期間中に最も高いCAGR成長が見込まれます。RFパワー半導体は、民生用電子機器において、無線周波数信号の効率的な送受信を可能にする重要な部品です。スマートフォン、Wi-Fiルーター、スマート家電などの機器に使用され、信頼性の高い無線通信を実現します。これらの半導体は、高周波信号を最小限の損失で処理するように設計されており、日常的な民生用アプリケーションにおける無線機器の性能と範囲を向上させます。

最大シェアの地域:
通信インフラの拡大とワイヤレス技術の採用増加により、予測期間中、アジア太平洋地域が最大の市場シェアを占めると予測されています。中国、日本、韓国などの主要国が、移動体通信、レーダーシステム、産業用アプリケーションにおけるRFパワーアンプとトランジスタの旺盛な需要で市場をリードしています。この地域は、強力な製造基盤と技術的進歩の恩恵を受けており、主要企業間の競争力学を促進しています。この成長は、5GネットワークとIoTコネクティビティへの継続的な投資によって支えられており、アジア太平洋地域のRFパワー半導体メーカーにさらなるビジネスチャンスをもたらしています。

CAGRが最も高い地域:
北アメリカは、通信、家電、自動車分野での需要増加により、予測期間で最も高いCAGRになると予測されています。主要企業は、RFパワー半導体の効率と性能を高めるための技術的進歩に注力しています。同市場は、革新的なソリューションの研究開発に投資する大手企業による競争環境が特徴です。無線通信技術に対する規制支援も市場拡大に寄与しています。全体として、北アメリカのRFパワー半導体市場は、進化する技術的ランドスケープと業界の需要の中で有望性を示しています。

市場の主要企業
無線周波数(RF)パワー半導体市場の主要企業には、Mitsubishi Electric Corporation, Texas Instruments, Infineon Technologies, NXP Semiconductors, Skyworks Solutions, MACOM Technology Solutions, STMicroelectronics, RFHIC Corporation, Renesas Electronics Corporation, II-VI Incorporated, Maxim Integrated, Efficient Power Conversion Corporation, Cree Inc., Qorvo, Broadcom Inc., Ampleon.などがあります。

主な動向:
2024年2月、三菱電機株式会社は、業務用携帯型双方向無線機のRFハイパワーアンプに使用される6.5Wシリコン無線周波数(RF)ハイパワー金属-酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の新製品のサンプル出荷を開始すると発表。このモデルは、3.6Vの単一セルリチウムイオン電池から業界最高レベルの6.5Wの出力を実現し、業務用無線機の通信距離の延長と消費電力の低減が期待できます。

2023年6月、オランダ・アイントホーフェンのNXP Semiconductors N.V.は、5Gインフラ向けの無線機の薄型軽量化を実現するために設計されたパッケージング革新に基づく、トップサイド冷却RFアンプ・モジュール・ファミリーを発表しました。これらの小型基地局は、より簡単かつコスト効率よく設置することができ、環境に溶け込みます。

対象コンポーネント
– パワーアンプ
– 受動素子
– スイッチ
– トランジスタ
– ダイオード
– デュプレクサ
– その他の部品

対象材料
– 窒化ガリウム(GaN)
– ガリウムヒ素(GaAs)
– シリコン(Si)
– シリコンゲルマニウム(SiGe)
– その他の材料

対象電力範囲
– 低電力
– 中出力
– 高出力

対象アプリケーション
– コンシューマー・エレクトロニクス
– 電気通信
– 航空宇宙・防衛
– 自動車
– 医療機器
– 産業・科学
– その他の用途

対象地域
– 北アメリカ
アメリカ
カナダ
メキシコ
– ヨーロッパ
ドイツ
イギリス
イタリア
フランス
スペイン
その他のヨーロッパ
– アジア太平洋
日本
中国
インド
オーストラリア
ニュージーランド
韓国
その他のアジア太平洋地域
– 南アメリカ
アルゼンチン
ブラジル
チリ
その他の南アメリカ諸国
– 中東/アフリカ
サウジアラビア
アラブ首長国連邦
カタール
南アフリカ
その他の中東/アフリカ

レポート内容
– 地域および国レベルセグメントの市場シェア評価
– 新規参入企業への戦略的提言
– 2022年、2023年、2024年、2026年、2030年の市場データをカバー
– 市場動向(促進要因、制約要因、機会、脅威、課題、投資機会、推奨事項)
– 市場予測に基づく主要ビジネスセグメントにおける戦略的提言
– 主要な共通トレンドをマッピングした競合のランドスケープ
– 詳細な戦略、財務、最近の動向を含む企業プロファイリング
– 最新の技術進歩をマッピングしたサプライチェーン動向

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*** レポート目次(コンテンツ)***

1 エグゼクティブ・サマリー
2 序文
2.1 概要
2.2 ステークホルダー
2.3 調査範囲
2.4 調査方法
2.4.1 データマイニング
2.4.2 データ分析
2.4.3 データの検証
2.4.4 リサーチアプローチ
2.5 リサーチソース
2.5.1 一次調査ソース
2.5.2 セカンダリーリサーチソース
2.5.3 前提条件
3 市場動向分析
3.1 はじめに
3.2 推進要因
3.3 抑制要因
3.4 機会
3.5 脅威
3.6 アプリケーション分析
3.7 新興市場
3.8 Covid-19の影響
4 ポーターズファイブフォース分析
4.1 供給者の交渉力
4.2 買い手の交渉力
4.3 代替品の脅威
4.4 新規参入の脅威
4.5 競争上のライバル
5 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場、部品別
5.1 はじめに
5.2 パワーアンプ
5.3 受動部品
5.4 スイッチ
5.5 トランジスタ
5.6 ダイオード
5.7 デュプレクサ
5.8 その他の部品
6 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場、材料別
6.1 はじめに
6.2 窒化ガリウム(GaN)
6.3 ガリウムヒ素(GaAs)
6.4 シリコン(Si)
6.5 シリコンゲルマニウム(SiGe)
6.6 その他の材料
7 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場、パワーレンジ別
7.1 はじめに
7.2 低電力
7.3 中電力
7.4 高出力
8 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場、用途別
8.1 はじめに
8.2 民生用電子機器
8.3 電気通信
8.4 航空宇宙・防衛
8.5 自動車
8.6 医療機器
8.7 産業・科学
8.8 その他の用途
9 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場、地域別
9.1 はじめに
9.2 北アメリカ
9.2.1 アメリカ
9.2.2 カナダ
9.2.3 メキシコ
9.3 ヨーロッパ
9.3.1 ドイツ
9.3.2 イギリス
9.3.3 イタリア
9.3.4 フランス
9.3.5 スペイン
9.3.6 その他のヨーロッパ
9.4 アジア太平洋
9.4.1 日本
9.4.2 中国
9.4.3 インド
9.4.4 オーストラリア
9.4.5 ニュージーランド
9.4.6 韓国
9.4.7 その他のアジア太平洋地域
9.5 南アメリカ
9.5.1 アルゼンチン
9.5.2 ブラジル
9.5.3 チリ
9.5.4 その他の南アメリカ地域
9.6 中東/アフリカ
9.6.1 サウジアラビア
9.6.2 アラブ首長国連邦
9.6.3 カタール
9.6.4 南アフリカ
9.6.5 その他の中東/アフリカ地域
10 主要開発
10.1 契約、パートナーシップ、提携、合弁事業
10.2 買収と合併
10.3 新製品上市
10.4 拡張
10.5 その他の主要戦略
11 企業プロフィール
11.1 Mitsubishi Electric Corporation
11.2 Texas Instruments
11.3 Infineon Technologies
11.4 NXP Semiconductors
11.5 Skyworks Solutions
11.6 MACOM Technology Solutions
11.7 STMicroelectronics
11.8 RFHIC Corporation
11.9 Renesas Electronics Corporation
11.10 II-VI Incorporated
11.11 Maxim Integrated
11.12 Efficient Power Conversion Corporation
11.13 Cree Inc.
11.14 Qorvo
11.15 Broadcom Inc.
11.16 Ampleon
表一覧
表1 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、地域別(2022-2030年) ($MN)
表2 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、コンポーネント別(2022-2030年) ($MN)
表3 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、パワーアンプ別 (2022-2030) ($MN)
表4 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、受動素子別 (2022-2030) ($MN)
表5 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、スイッチ別 (2022-2030) ($MN)
表6 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、トランジスタ別 (2022-2030) ($MN)
表7 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、ダイオード別 (2022-2030) ($MN)
表8 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、デュプレクサ別 (2022-2030) ($MN)
表9 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、その他の部品別 (2022-2030) ($MN)
表10 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、材料別 (2022-2030) ($MN)
表11 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、窒化ガリウム(GaN)別(2022-2030年) ($MN)
表12 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、ガリウムヒ素(GaAs)別(2022-2030年) ($MN)
表13 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、シリコン(Si)別(2022-2030年) ($MN)
表14 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、シリコンゲルマニウム(SiGe)別 (2022-2030) ($MN)
表15 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、その他の材料別 (2022-2030) ($MN)
表16 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、パワーレンジ別 (2022-2030) ($MN)
表17 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、低電力別 (2022-2030) ($MN)
表18 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、中電力別(2022-2030年) ($MN)
表19 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、高出力別(2022-2030年) ($MN)
表20 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、用途別(2022-2030年) ($MN)
表21 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望:民生用電子機器別(2022-2030年) ($MN)
表22 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、通信別(2022-2030年) ($MN)
表23 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望:航空宇宙・防衛別(2022-2030年) ($MN)
表24 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、自動車別 (2022-2030) ($MN)
表25 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、医療機器別(2022-2030年) ($MN)
表26 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望:産業・科学機器別(2022-2030年) ($MN)
表27 無線周波数(RF)パワー半導体の世界市場展望、その他の用途別 (2022-2030) ($MN)
注)北アメリカ、ヨーロッパ、APAC、南アメリカ、中東/アフリカ地域の表も上記と同様に表記しています。



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※当市場調査資料(SMRC24NOV217 )"無線周波数(RF)パワー半導体の世界予測(~2030):パワーアンプ、パッシブ、スイッチ、トランジスタ、ダイオード、デュプレクサ、その他" (英文:Radio Frequency (RF) Power Semiconductor Market Forecasts to 2030 – Global Analysis By Component (Power Amplifiers, Passives, Switches, Transistors, Diodes, Duplexers and Other Components), Material, Power Range, Application and By Geography)はStratistics MRC社が調査・発行しており、H&Iグローバルリサーチが販売します。


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