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圧電マイクロエレクトロメカニカルセンサおよびアクチュエータは、幅広い用途で使用されています。従来の静電容量式MEMSと比較すると、圧電式MEMSは優れた性能と製造効率を実現します。圧電薄膜、特にPZTは、マイクロフォンやマイクロミラー、ガスセンサー、手振れ防止機能、超音波トランスデューサー、高品質な印刷結果を実現するピエゾプリンター、ARメガネ、通信機能強化用のRFフィルターなど、高成長が見込まれるMEMS製品の新たな基盤となっています。
ピエゾ MEMS 部門は、より広範な MEMS 産業の中でも重要なセグメントであり、特に家電製品、通信、そして新興の IoT 用途において大きな存在感を示しています。 ピエゾ MEMS 市場は、より広範な MEMS よりも大幅に速いペースで成長すると予想されており、その主な要因は以下の通りです。
- 5G ネットワークの拡大と将来的な 6G の開発
- 自動車の安全性と自律システムの採用拡大
- 医療用画像と診断用途の成長
- 新しい家電用途の登場
特にIoT、自動車、医療分野における新しい用途の出現は、2035年まで持続的な成長を牽引すると予想されており、量子コンピューティングや高度なセンシングシステムなどの新興分野における画期的な用途の可能性も秘めています。
「グローバル・ピエゾMEMS市場 2025-2035」レポートは、ピエゾMEMS（ピエゾMEMS）の世界市場を分析し、2025年から2035年までの技術開発、市場動向、成長機会に関する詳細な洞察を提供しています。この調査では、新興技術と市場力学に特に重点を置いて、材料や製造からエンドユーザー用途に至るまでのバリューチェーン全体を検証しています。レポートの内容は以下の通りです。
- ピエゾMEMS業界に関する詳細な市場予測、技術評価、競合分析を含む広範な分析
- 民生用電子機器、自動車、医療、産業用アプリケーションなど、さまざまな分野におけるRFフィルタ、センサー、アクチュエータ、トランスデューサなどの主要用途
- 主な対象市場セグメント
- センサー（マイクロフォン、加速度センサー、力センサー
- アクチュエータ（インクジェットプリントヘッド、マイクロスピーカー、光学MEMS
- トランスデューサ（超音波指紋センサー、医療用画像処理
- RFフィルタ（BAW技術、FBAR/SMRソリューション
- 詳細な市場分析：
- 世界的な収益予測（2025年～2035年
- デバイス種類別の数量予測
- 地域別市場分析
- 生産能力評価
- ウェハレベル分析
- サプライチェーン評価
- 技術ロードマップと開発動向
- 製造戦略と課題
- 地域別市場力学
- 主要用途分野の詳細分析：
- 民生用電子機器（スマートフォン、ウェアラブル機器
- 自動車用センサーおよびアクチュエータ
- 医療用機器および画像システム
- 産業用アプリケーション
- IoTおよび新興アプリケーション
- 製造および生産：
- ウェハー製造プロセス
- 統合技術
- 品質管理方法
- 稼働率
- 地域別生産分布
- コスト分析
- 技術動向およびイノベーション：
- 材料の革新および改良
- 製造の進歩
- デバイスの小型化
- 性能の向上
- 新規アプリケーション
- 統合戦略
- 市場機会と成長要因：
- 技術的障壁とソリューション
- 市場導入要因
- 競争分析
- 環境への配慮
- 規制順守
- 将来の機会
- 150社以上の企業に関する包括的なプロフィール：
- 主要なMEMSメーカー
- 材料サプライヤー
- 装置プロバイダー
- 技術開発企業
- 最終製品メーカー
対象企業：Abbott、Aeponyx、AKM、Akoustis、AlphaMOS、Alps Alpine、Amphenol、Analog Devices、 Anello Photonics、Apple、Arioso、ASAIR、Asia Pacific Microsystems、ASMC、Aspinity、Atomica、Audiopixels、Beijing Zhixin Tech、Blickfeld、Boehringer Ingelheim Microparts、Bosch、Broadcom、Butterfly Networks、Canon、Cartesiam、CEA Leti、Chongqing Silian Sensor Technology、Cirrus Logic、Colibrys、CRMicro、Denso、DRS、EPCOS、 EpicMEMS、eXo Imaging、Figaro、Flusso、Formfactor、Fraunhofer IPMS、Fujifilm Dimatix、Gettop、GMEMS Technologies、Goermicro、Goertek、Google、Guide IR、GWIC、Hanking Electronics、Heimann Sensor、Hewlett Packard、Hikvision、Honeywell、HuaHong Grace、Huntersun、Hypernano、IceMOS、Illumina、IMEC、Infineon Technologies、 IonTorrent、LAMリサーチ、Lynred、Maxim、Mekonos、Melexis、MEMJET、MEMSCAP、MEMSDrive、MEMSensing、MEMSIC、MEMSonics、MEMSRight、MenloMicro、Merit Sensor、Merry Electronics、Microchip、Microfab、Micronit、Minebea Mitsumi、Mirrorcle、Murata、Nanox、Novosense、NXP、Okmetic、Omnitron Sensors、 One Silicon Chip Photonics、OQmented、Oriental System Technology、Panasonic、Partron、Philips Engineering Solution、poLight ASA、Posifa Technologies、Preciseley、Qorvo、Qualcomm、Raytheon、Ricoh、Resonant、Robosense、Rohm、Safran Sensing Technologies、Samsung、Sappland Microelectronics、ScioSense、Seiko Epson Corporation、Semefab、Senba Sensing、Sensata、sensiBel、 Sensirion、Sercalo、Silicon Austria Labs、Silicon Design Inc、Silicon Sensing Systems、Silex Microsystems/SMEI、SiTime、Skyworks、SMIC、Sofant Technologies、Soitec、Sonic Edge、Sonion、Sumitomo Precision、TDK Electronicsなど。
目次
1 はじめに 17
- 1.1 世界のMEMS市場 17
- 1.1.1 歴史 17
- 1.1.2 現在の市場（2024年～2025年） 18
- 1.2 圧電技術の概要 20
- 1.2.1 圧電性の基礎 20
- 1.2.2 圧電効果と逆圧電効果 21
- 1.2.3 主要パラメータと測定 23
- 1.2.4 設計上の考慮事項 24
- 1.3 圧電MEMS技術の進化 25
- 1.4 圧電MEMS市場 2020年～2024年 27
- 1.4.1 市場規模と成長傾向 27
- 1.4.2 用途開発 28
- 1.4.3 技術進歩 30
- 1.5 技術の概観 31
- 1.5.1 コア技術 31
- 1.5.2 統合アプローチ 34
- 1.5.3 競合技術 35
- 1.5.4 技術成熟度レベル 36
- 1.6 規制の枠組み 37
2 圧電材料および技術 39
- 2.1 圧電材料の基礎 40
- 2.1.1 動作原理 40
- 2.1.1.1 結晶構造 40
- 2.1.1.2 分極メカニズム 41
- 2.1.1.3 電気機械結合 42
- 2.1.1.4 材料物理学 43
- 2.1.2 主要な性能指標 44
- 2.1.3 製造プロセス 44
- 2.1.1 動作原理 40
- 2.2 材料カテゴリー 48
- 2.2.1 窒化アルミニウム（AlN） 48
- 2.2.1.1 特性と特徴 49
- 2.2.1.2 用途 50
- 2.2.1.3 コスト構造 50
- 2.2.2 スカンジウム添加AlN 51
- 2.2.2.1 ドーピング効果 51
- 2.2.2.2 性能の向上 52
- 2.2.2.3 製造上の課題 53
- 2.2.2.4 費用対効果分析 54
- 2.2.2.5 市場での採用 55
- 2.2.3 チタン酸ジルコン酸鉛（PZT） 56
- 2.2.3.1 材料特性 56
- 2.2.3.2 加工方法 57
- 2.2.3.3 性能特性 58
- 2.2.3.4 環境への懸念 58
- 2.2.3.5 用途別 59
- 2.2.4 新素材 60
- 2.2.4.1 KNN 60
- 2.2.4.2 LiNbO3 61
- 2.2.1 窒化アルミニウム（AlN） 48
- 2.3 加工技術 64
- 2.3.1 薄膜形成 64
- 2.3.1.1 スパッタリング技術 64
- 2.3.1.2 化学気相成長法 65
- 2.3.1.3 ゾルゲル法 66
- 2.3.1.4 その他の方法 67
- 2.3.2 集積技術 68
- 2.3.2.1 CMOS集積化 68
- 2.3.2.2 ウェハボンディング 69
- 2.3.2.3 パッケージングソリューション 70
- 2.3.3 品質管理手法 72
- 2.3.1 薄膜形成 64
3 市場分析と予測 2025年～2035年 74
- 3.1 市場規模と成長 75
- 3.1.1 世界の収益予測 75
- 3.1.2 数量予測 77
- 3.1.2.1 単位生産の傾向 77
- 3.1.2.2 装置種類別数量 78
- 3.1.2.3 生産能力分析 79
- 3.1.2.4 稼働率 80
- 3.1.3 地域分析 82
- 3.1.3.1 北米 82
- 3.1.3.2 ヨーロッパ 84
- 3.1.3.3 アジア太平洋地域 85
- 3.1.3.4 中国 86
- 3.2 市場区分 86
- 3.2.1 装置タイプ別 87
- 3.2.2 材料タイプ別 88
- 3.2.3 エンドユーザー産業別 89
- 3.3 ウェハレベル分析 90
- 3.3.1 材料別ウェハ開始数 91
- 3.3.2 ウェハサイズの傾向 91
- 3.3.3 製造能力 92
- 3.3.4 地域別生産分布 93
4 用途別セグメント 94
- 4.1 センサ 94
- 4.1.1 マイクロフォン 94
- 4.1.2 加速度センサ 95
- 4.1.3 力センサ 96
- 4.1.4 市場予測 96
- 4.2 アクチュエータ 98
- 4.2.1 インクジェット・プリントヘッド 98
- 4.2.2 マイクロスピーカー 99
- 4.2.3 光 MEMS 100
- 4.2.4 市場予測 102
- 4.3 トランスデューサ 104
- 4.3.1 超音波指紋センサ 104
- 4.3.2 医療用画像 106
- 4.3.3 市場予測 106
- 4.4 RFフィルタ 108
- 4.4.1 BAW技術 109
- 4.4.2 FBAR/SMRソリューション 110
- 4.4.3 市場予測 111
5 サプライチェーン 113
6 技術動向とイノベーション 115
- 6.1 材料のイノベーション 115
- 6.1.1 性能向上材料 115
- 6.1.2 鉛フリー代替品 116
- 6.1.3 新規組成 118
- 6.2 製造技術の進歩 120
- 6.2.1 工程の改善 120
- 6.2.2 統合技術 121
- 6.2.3 品質管理方法 122
- 6.3 デバイスにおける革新 123
- 6.3.1 ミニチュア化の傾向 123
- 6.3.2 性能の向上 125
- 6.3.3 新たな用途 126
7 課題と機会 127
- 7.1 技術的課題 127
- 7.2 市場の障壁 129
- 7.3 成長機会 130
- 7.4 今後の用途 132
8 企業プロフィール 134 （企業プロフィール156社
9 付録 261
- 9.1 調査方法 261
- 9.2 略語 262
- 9.3 参考文献 263
表一覧
- 表1：2020年から2024年の世界のMEMS市場（単位：10億米ドル）、エンドユーザー市場別。19
- 表2：主要な圧電パラメータとその重要性。23
- 表3：PiezoMEMSの中核技術。31
- 表4：PiezoMEMSの統合アプローチ。34
- 表5：競合技術の比較。35
- 表 6. ピエゾ MEMS 技術の成熟度レベル 36
- 表 7. ピエゾ MEMS 産業に影響を与える主な規制 38
- 表 8. ピエゾ MEMS の主な性能指標 44
- 表 9. ピエゾ MEMS の製造プロセス 44
- 表 10. AlN の特性と用途 50
- 表 11. Sc-AlN と標準 AlN の比較 55
- 表 12. PZT のバリエーションと特性。 56
- 表 13. PZT の性能指標。 58
- 表 14. 新興材料の比較。 62
- 表 15. 技術成熟度評価。 63
- 表 16. 堆積技術の比較。 67
- 表 17. 異なる方法のプロセスパラメータ。 68
- 表18. 統合の課題とソリューション。 71
- 表19. 2020年～2035年のグローバルなピエゾMEMS市場の収益予測（十億米ドル）。 75
- 表20. 稼働率。 80
- 表21. 2020年～2035年のデバイス種類別生産量。 80
- 表22. 2020年から2035年のデバイス別世界ピエゾMEMS売上高。87
- 表23. 2020年から2035年の材料別世界ピエゾMEMS売上高。88
- 表24. 2020年から2035年のエンドユーザー産業別世界ピエゾMEMS売上高。89
- 表25. ウェハ生産の傾向。 90
- 表26. ファブ別のピエゾMEMSウェハのシェア。 91
- 表27. センサ分野におけるピエゾMEMSの世界市場予測（2024～2035年）。 97
- 表28. アクチュエータ分野におけるピエゾMEMSの世界市場予測（2024～2035年）。 102
- 表29. グローバルな圧電MEMS市場予測（2024～2035年） トランスデューサ 107
- 表30. グローバルな圧電MEMS市場予測（2024～2035年） トランスデューサ 111
- 表31. 圧電MEMS向け高性能材料 115
- 表32. ピエゾMEMSの鉛フリー代替品。117
- 表33. ピエゾMEMSの技術的課題。127
- 表34. 市場の障壁。129
- 表35. 今後の用途分析。132
図表一覧
- 図1. 2020年から2024年の世界のMEMS市場（単位：百万米ドル）、エンドユーザー市場別。20
- 図2. 圧電効果の概略図。 21
- 図3. PiezoMEMS技術の進化。 25
- 図4. PiezoMEMS市場 2020-2024 (10億米ドル)。 28
- 図5. 製造工程フロー図。 45
- 図6. PiezoMEMS材料ロードマップ。 48
- 図 7：統合プロセスフロー。 70
- 図 8：2020年～2035年のピエゾMEMSの世界市場収益予測（単位：十億米ドル）。 76
- 図 9：2020年～2035年のデバイス種類別生産量。 81
- 図 10：2020年～2035年のデバイス種類別ピエゾMEMSの世界市場収益。 88
- 図 11. 2020年～2035年の材料タイプ別世界ピエゾMEMS売上高。89
- 図 12. 2020年～2035年のエンドユーザー産業別世界ピエゾMEMS売上高。90
- 図 13. 地域別ウェハキャパシティ。93
- 図14. センサ分野におけるグローバルなピエゾMEMS市場予測（2024～2035年）。 97
- 図15. アクチュエータ分野におけるグローバルなピエゾMEMS市場予測（2024～2035年）。 102
- 図16. トランスデューサ分野におけるグローバルなピエゾMEMS市場予測（2024～2035年）。 108
- 図17. 2024年から2035年のトランスデューサにおけるグローバルなピエゾMEMS市場予測。111
- 図18. ピエゾMEMS市場のサプライチェーン。113
- 図19. ボッシュ – BMI270 6軸IMU。153
- 図20. ブロードコム – FBAR RFフィルタ製品。154
- 図21. Butterfly Network – Butterfly iQ+ 超音波システム。155
- 図22. 富士フイルム・ダイマティックス – Samba プリントヘッド技術。174
- 図23. インフィニオン – XENSIV™ MEMS マイクロフォン。187
- 図24. 村田製作所 – SAW フィルタ製品。191
- 図25. poLight – TLens® オートフォーカスアクチュエータ。 201
- 図26. Qorvo – BAWフィルタ製品群。 204
- 図27. Qualcomm – 3Dソニックセンサー（超音波指紋）。 206
- 図28. STMicroelectronics – MEMSマイクロフォン（MP23DB01HP）。 239
- 図29. TDK InvenSense – ICP-10125 高性能圧力センサー。 242
- 図30. Vesper – VM3000 圧電 MEMS マイクロフォン。 250
- 図31. USound – MEMS スピーカー技術。 256
- 図32. xMEMS – Montara マイクロスピーカー。 259
